- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت IPP60R125C6
IPP60R125C6 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPP60R125C6 |
|---|---|
| حجم فایل | 34.317 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 18 |
دانلود دیتاشیت IPP60R125C6 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPP60R125C6
- Power Dissipation (Pd): 219W
- Drain Source Voltage (Vdss): 600V
- Continuous Drain Current (Id): 30A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@960uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 125mΩ@10V,14.5A
- Package: TO-220
- Manufacturer: Infineon Technologies
